ㅇ 장비설명

- 최적화된 Sputtering Cathode 설계로 인한 Co-Sputtering Process 가능하며, Cathode 시뮬레이션을 통한 높은 Target 사용효율 확보하여 대면적 Substrate에 뛰어난 막 균일도 형성가능

 ㅇ 구성 및 성능

- Substrate(Size & Capacity) : 6 inch, 1 Substrate Vacuum(Ultimate Pressure) :　≤１×10-6 Torr Uniformity(Thickness Uniformity) : ≤±5%@20,000Å(ZnO) within 6 inch PET film

 ㅇ 사용예

 - 6inch 대면적 Substrate에 균일한 Seed Layer laminate 층을 형성

 ㅇ 활용분야

 - 본 과제에서 추진하고 있는 방열소재의 열전도도를 높이기 위하여 PVD 시스템을 이용한 표면처리 제어기술을 확보하기 위하여 활용됨