◈용도

금속, 재료, 신소재, 반도체 등 단면 SEM 이미지 관찰, EDS 조성분석, EBSD 결정패턴 연구

◈ 사양

  • Ion 가속전압 :    2~8kV

 •  Ion beam width(FWHM) :500um(가속전압: 8kV, 시편: Si)

 •  Polishing 속도 :500um/hour 혹은 그 이상 (가속전압: 8kV, 시편: Si)

 • 최대 specimen 크기 :11mm(W) x 9mm(L) x 2mm(T)

 • Specimen 움직임 범위 : ±3mm(X축) ±3mm(Y축)

 • Specimen tilt 범위 : ±5°

 • Poilshing 가스 : Argon